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4H-N型SiC襯底
碳化硅(SiC)晶體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,被認(rèn)為是制備高頻大功率器件、高溫電子器件、微波器件最有應(yīng)用前途的材料,被廣泛應(yīng)用于新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電樁、光伏逆變器等領(lǐng)域。