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“上車”提速,兩家SiC企業(yè)產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認證
發(fā)布時間:2024-03-15 09:16:47

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·瞻芯電子3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認證

瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認AEC-Q101 Qualified)。瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET芯片,具備業(yè)界較低的損耗水平,且驅(qū)動電壓為15V~18V,兼容性更好。


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3款產(chǎn)品導(dǎo)通電阻分別為25mΩ,40mΩ60mΩ,且采用TO247-4封裝,可耐受-55°C 175°C工作溫度,同時因TO247-4封裝具有開爾文源極引腳,而能顯著減小柵極驅(qū)動電壓尖峰。


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瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品與工藝平臺是依托浙江瞻芯電子SiC晶圓廠開發(fā)的, 自20239月份發(fā)布第一款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品以來,至今已有十幾款采用同代技術(shù)平臺的量產(chǎn)產(chǎn)品。瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,對比上一代產(chǎn)品,通過優(yōu)化柵氧化層工藝和溝道設(shè)計,讓器件的比導(dǎo)通電阻降低約25%,能進一步降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率。

瞻芯電子采用TO247-4封裝的車規(guī)級第二代650V SiC MOSFET系列產(chǎn)品,因其具備高速開關(guān),且低損耗,以及良好的驅(qū)動兼容性等優(yōu)秀特性,而能為功率變換系統(tǒng)提供高頻、高效率的解決方案,主要適用于電機驅(qū)動、光伏逆變器、車載直流變換器DC/DC)、車載充電機(OBC)、開關(guān)電源。

 

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·蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證

蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核,同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測試并量產(chǎn)交付。


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蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V,AEC-Q101標準中對H3TRB項目的反偏電壓要求通常為100V,而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V,蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了  HV-H3TRB可靠性驗證,同時對于應(yīng)用端特別關(guān)注的柵氧可靠性問題,蓉矽的產(chǎn)品通過了VGS=+22V/-8V的嚴苛HTGB考核,表明器件在在更為極端的應(yīng)用場景中,也有優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性,可滿足新能源汽車、光伏逆變等領(lǐng)域?qū)β势骷母哔|(zhì)量和車規(guī)級可靠性要求。


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蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V,最大可持續(xù)電流達75A。產(chǎn)品特點如下:

采用溝道自對準工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式,增加溝道密度、降低溝道電阻,提升器件在單位面積內(nèi)的電流能力;

◎采用多晶硅網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化技術(shù),充分降低柵極內(nèi)阻,提高器件在開關(guān)過程中對輸入電容的充放電速度,降低器件開關(guān)損耗;

◎采用結(jié)終端優(yōu)化技術(shù),降低器件在結(jié)終端的曲率效應(yīng),提高器件耐壓能力;采用開爾文源的PAD設(shè)置,降低封裝中的雜散電感;

 VDD=800V時,短路耐受時間>3μs,TO-247-4封裝測試開啟損耗為635μJ;

◎在下圖中,A為外商產(chǎn)品,B為國內(nèi)廠商產(chǎn)品;所對比產(chǎn)品規(guī)格接近,封裝形式皆為TO-247-3L,驅(qū)動電壓采用各廠商推薦值,測試結(jié)果采用標準化處理且蓉矽產(chǎn)品為“1”。從對比結(jié)果可以看出,得益于密勒電容和多晶硅電阻的優(yōu)化,蓉矽第一代SiC MOSFET在開關(guān)損耗上的表現(xiàn)在所有競品中處于較好水平。

蓉矽SiC MOSFET應(yīng)用于新能源汽車OBC和直流充電樁模塊時,可有效減少器件數(shù)量、簡化系統(tǒng)、降低損耗、提高效率,推動提高充電速度、實現(xiàn)續(xù)航突破。


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