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該款車型被視為小米集團進入新能源汽車領(lǐng)域的重要戰(zhàn)略布局，標志著小米集團向自主品牌造車方向邁出了堅實的一步。

2023年12月，小米汽車舉行的技術(shù)發(fā)布會上，針對萬眾矚目的小米汽車SU7的各種亮點產(chǎn)品力進行了介紹。小米創(chuàng)辦人、董事長兼CEO雷軍在會上重磅發(fā)布了包括800V SiC技術(shù)在內(nèi)的多項硬核技術(shù)。

隨著今天的產(chǎn)品發(fā)布會腳步越來越近，小米的各類供應(yīng)商都被一一披露，今天我們重點帶大家關(guān)注一下小米汽車在動力部分的供應(yīng)商情況，動力部分，小米SU7提供了單電機和雙電機兩種動力，其中雙電機版車型最大功率為 673 馬力，0-100km/h加速時間 2.78 秒，配備容量為 101kWh 的寧德時代三元鋰電池，CLTC 續(xù)航里程為 800km。單電機版車型最大功率 LTC 續(xù)航里程為 800km。單電機版車型最大功率 299 馬力，0-100km/h加速時間 5.28 秒，配備容量為 73.6kWh 的弗迪磷酸鐵鋰電池，CLTC 續(xù)航里程為668km。

電驅(qū)方面，根據(jù)小米此前的信息披露，小米SU7的400V平臺兩驅(qū)版搭載的是聯(lián)合汽車電子的SiC電驅(qū)，后驅(qū)水冷永磁電機（TZ220XS102），而800V四驅(qū)版搭載的是匯川聯(lián)合動力的SiC電驅(qū)，前油冷異步電機（YS210XY102），后油冷永磁電機（TZ220XY102），峰值轉(zhuǎn)速21000RPM；

這與蓋世汽車發(fā)布的小米SU7的供應(yīng)商信息一致，那么這里面的碳化硅應(yīng)用情況如何呢？

小米SU7單電機版，400V電壓平臺的電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合汽車電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片，根據(jù)調(diào)研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產(chǎn)品。

小米SU7單電機版，400V電壓平臺的電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合汽車電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片，根據(jù)調(diào)研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產(chǎn)品。

根據(jù)博世的技術(shù)人員介紹，博世第二代750V碳化硅產(chǎn)品將改進體二極管以提高開關(guān)速度，在切換速度不變的前提下，減少了50%的dv/dt；實現(xiàn)單位面積Rdson 30%的縮減。這款被搭載在小米SU7上的碳化硅芯片的高溫表現(xiàn)良好，175攝氏度高溫系數(shù)達1.45，完全可以媲美國際大廠的最優(yōu)一代平面型產(chǎn)品。

博世的碳化硅產(chǎn)品采用了獨特的雙通道溝槽柵極技術(shù)。與平面型和單通道溝槽柵極技術(shù)相比，博世的雙通道溝槽柵極技術(shù)使產(chǎn)品在相同的芯片面積下具有更低的導通電阻，在功率相同的情況下，芯片所需面積更小，因此對于芯片產(chǎn)出與成本控制都有明顯優(yōu)勢。此外還可支持更高的結(jié)溫耐受，支持最高200℃的溫度下連續(xù)運行。

受益于大陸市場的強勁需求，博世近年來也堅定在碳化硅方面的投入，產(chǎn)能擴張方面也相對積極。五年前，博世決定首先在Reutlingen建立自己的碳化硅芯片生產(chǎn)廠。2021年，博世將再次擴大了這一生產(chǎn)設(shè)施。去年，博世又將生產(chǎn)基地的規(guī)模擴大了一倍。近期，博世以15億美元收購了美國一家現(xiàn)有的芯片工廠。目前，該工廠正在全面轉(zhuǎn)產(chǎn)碳化硅。公司的目標是在2026年交付第一批在美國生產(chǎn)的碳化硅芯片。

此外，在對8英寸的晶圓量產(chǎn)節(jié)奏上，博世也做出了規(guī)劃，根據(jù)博世集團董事會主席史蒂凡·哈通博士披露，從2026年開始，博世計劃在具備高成本效益的200毫米晶圓上制造首批溝槽結(jié)構(gòu)的碳化硅芯片。

小米SU7雙電機版，800V電壓平臺的電驅(qū)供應(yīng)商為匯川聯(lián)合動力，其中搭載了來自英飛凌的碳化硅模組和芯片產(chǎn)品。

早在2022年底，英飛凌科技就推出了采用CoolSiC? MOSFET技術(shù)的全新車規(guī)功率模塊— HybridPACK? Drive CoolSiC?，該款產(chǎn)品具有1200 V阻斷電壓、且適用于電動汽車牽引逆變器的全橋模塊。

   采用搭載來自英飛凌自己的CoolSiC溝槽柵MOSFET技術(shù)，適用于高功率密度和高性能的應(yīng)用場景。進一步提高了逆變器的效率，實現(xiàn)更高的續(xù)航里程并降低電池成本，適用于800 V電池系統(tǒng)及更高電池容量的電動汽車。

  與剛剛上文介紹的博世芯片一致，英飛凌的CoolSiC MOSFET也采用的是溝槽結(jié)構(gòu)設(shè)計。英飛凌表示，與平面結(jié)構(gòu)技術(shù)相比，溝槽柵結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)更高的單元密度，從而產(chǎn)生最佳的品質(zhì)因素。因此，溝槽柵MOSFET可以在較低的柵極氧化物場強下工作，從而提高可靠性。

同樣的，英飛凌也看到了汽車市場巨大的碳化硅應(yīng)用機會，正在積極布局碳化硅的產(chǎn)能。此前英飛凌就公布了公司已投資50億歐元在馬來西亞新建一家碳化硅工廠。英飛凌稱，這將是全球最大的碳化硅工廠。英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck預計，到2030年，碳化硅市場的價值將達到70億歐元，其中約一半將來自汽車行業(yè)。

值得一提的是，碳化硅產(chǎn)品在小米SU7中的應(yīng)用不止主驅(qū)逆變環(huán)節(jié)，根InSemi調(diào)研信息顯示，小米SU7的400V及800V平臺中均搭載了華域三電的熱管理EDC產(chǎn)品，其中壓縮機控制器部分的供應(yīng)均來自國內(nèi)企業(yè)致瞻科技。

致瞻科技是目前全球唯一一家在新能源汽車400V、800V、1000V平臺上成熟量產(chǎn)基于碳化硅方案的空調(diào)壓縮機控制器的供應(yīng)商。2023年11月，致瞻科技第20000臺乘用車碳化硅電動壓縮機控制器已成功下線。

在早前我們的文章中曾介紹到，針對純電動汽車，尤其是針對800V電壓平臺，電動空調(diào)壓縮機控制器的首選方案將是SiC方案，在全系800V高壓平臺下，電動壓縮機部件采用SiC技術(shù)，可以更好地解決高壓、高轉(zhuǎn)速所帶來的開關(guān)損耗瓶頸，進而減小壓縮機體積和重量、降低壓縮機的噪音、最大程度降低能耗。

致瞻科技官網(wǎng)信息顯示，新能源汽車熱管理系統(tǒng)通過空調(diào)壓縮機實現(xiàn)熱量的運轉(zhuǎn)，壓縮機驅(qū)動系統(tǒng)消耗大量電力，尤其在夏、冬兩季。致瞻科技推出全SiC空調(diào)壓縮機控制器，相比傳統(tǒng)硅基控制器，驅(qū)動器電量損耗可降低70%，并滿足800V電氣系統(tǒng)架構(gòu)。

在芯片選擇上，致瞻與Wolfspped有深度合作，除此之外今年1月18日，宣布與意法半導體達成合作，意法半導體為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機控制器提供其第三代SiC MOSFET技術(shù)。

ST當前將中國市場戰(zhàn)略作為重中之重，在此前接受行業(yè)媒體采訪中，ST表示為了滿足中國新能源汽車市場快速增長的碳化硅需求，正在快速擴大寬禁帶器件產(chǎn)能。公司位于意大利卡塔尼亞新的全工序碳化硅襯底制造廠正在建設(shè)中，預計 2024 年開始投產(chǎn)。

2023 年 6 月，ST還宣布與國內(nèi)碳化硅企業(yè)三安光電成立合資公司，在中國量產(chǎn)8英寸碳化硅器件。該合資公司也將支持中國汽車電動化發(fā)展，滿足市場對意法半導體碳化硅器件不斷增長的需求。

產(chǎn)品迭代方面，公司第四代SiC MOSFET技術(shù)將于2024年量產(chǎn)，以增強ST在性能和成本方面的競爭力。

小米SU7是小米首款量產(chǎn)車型，融合了當前最先進的各項技術(shù)，很高興我們在小米SU7中看到新能源汽車含“SiC”量迅速攀升，如果按照晶圓面積計算一下小米汽車對碳化硅晶圓的消耗量，基本可以視為每3-4輛小米汽車就要消耗掉一片6英寸的碳化硅晶圓。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，當前國內(nèi)擁有最完善的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，最具優(yōu)勢的碳化硅襯底、外延材料成本，以及最大的應(yīng)用市場。碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的未來增長確定性極高。期待國內(nèi)晶圓制造短板快速補齊，早日將碳化硅的市場蛋糕越做越大！